Heure d'ouverture

Mon - Fri, 8:00 - 9:00

WhatsApp

+8618037022596

Envoyez-nous un email

[email protected]

Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN ...

+

AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence Soutenue le 19 octobre 2018 devant la commission dexamen Jury : Jean Claude De Jaeger (directeur) Hassan Maher (codirecteur) Marie Lesecq (encadrante) François Julien (rapporteur) Nathalie Deltimple (rapporteur) Arnaud Stoltz (examinateur) Sylvain Delage (examinateur) François Boone (examinateur) Christian Moreau (invité) …

Axe Énergie Laboratoire Nanotechnologies et …

+

Conception et réalisation de capteurs de gaz antipollution à base de Nitrure de Gallium pour des applications automobiles : Hassan Maher UdeS/LN2 Ali Soltani U. Lille 1/IEMN : 2014: Saugnon Damien : Modèles physiques de transistors HEMT GaN dédiés à l''analyse de stress de circuits RF: Hassan Maher, François Boone UdeS/LN2

Brochure : Le Conseil national de recherches du Canada

+

électronique au nitrure de gallium (GaN); matériaux semiconducteurs de pointe; photonique intégrée sur silicium; procédés de fabrication de pointe et matériaux organiques. On y trouve des spécialistes de renom et des installations de calibre mondial, dont le Centre canadien de fabrication de dispositifs photoniques, qui offrent les services et installations suivants : services d''ingé

FR3030044A1 SCHOTTKY SENSOR FOR DETECTING AN EXHAUST …

+

A sensor for measuring the concentration of a constituent of an exhaust gas from the combustion of a fuel in an internal combustion engine, wherein the sensor comprises a diode provided with a: substrate, semiconductor network comprising at least one pair of BGaN and GaN layers, the BGaN layer being deposited on the GaN layer, catalytic material located on the BGaN layer and able to react ...

Conception et réalisation de capteurs de gaz antipollution ...

+

Dans ce contexte, ce travail a pour objectif la conception et la fabrication de réseaux de capteurs de gaz à base de GaN, hautement sensibles, sélectifs et stables pour un fonctionnement en continu jusqu’à 600 C. Ces capteurs packagés une fois optimisés, sont disposés de part et d’autre du filtre à particule d’un véhicule automobile du groupe PSA. La première étape a été de ...

Modeling and test of integrated mechanical sensors based ...

+

Modeling and test of integrated mechanical sensors based on AlGaN/GaN heterostructures for harsh environments . By Stéphane Vittoz. Abstract . Certains domaines d''applications tels que l''aérospatial, l''automobile ou le forage de haute profondeur peuvent nécessiter la visualisation de certains paramètres physiques dans des environnements hostiles. Les capteurs microélectroniques basés sur ...

Substance Détection des cyberattaques dans les systèmes ...

+

20210830· Efficacité de FIDGAN. Nous avons évalué le taux de détection et la latence à l’aide de trois jeux de données publics : NSLKDD [11], SWaT [12] et WADI [13]. Alors que NSLKDD contient des données de trafic réseau et des attaques, SWaT et WADI contiennent des mesures de capteurs d’une usine de traitement des eaux. Nous avons ...

GaN nanowires based flexible Piezoelectric transducers …

+

20171109· Ces travaux de thèse portent sur l’étude et le développement de capteurs piézoélectriques souples à base de nanofils de Nitrure de Gallium (GaN) assemblés selon deux architectures. Ces deux géométries furent étudiées dans le cadre d’une approche globale qui traite à la fois de la croissance des fils, la fabrication des capteurs et la caractérisation électrique. En se basant ...

NSERC Funding Decisions Recipients of the 2016 ...

+

High efficiency and broadband fully integrated MMIC power amplifiers using GaN technology for space and terrestrial wireless communication: 3: 673,356 : Paul Barclay Quantum nanooptomechanical devices : 3: 576,000 : Marcus Samuel Developing extreme climateresilient canola varieties: 3: 359,800: Carleton University: Fei Richard Yu Enabling technologies for future softwaredefined and ...

Annonces LMESM_Laboratoire de Microscopie Electronique ...

+

20140515· The effects of 380 keV proton irradiation on AlGaN/GaN microHall sensors were investigated by magnetoresistance measurements. The sheet resistance increased after irradiation at a proton dose of 1 10 cm due to the decrease of carrier mobility rather than the decrease of sheet carrier density. Our experiments showed that AlGaN/GaN twodimensional electron gas (2DEG) structures …

Masimo Capteurs LNCS

+

Les capteurs LNCS (Low Noise Cabled Sensors, capteurs câblés à bruit faible) sont disponibles dans un large éventail de modèles adaptés aux différents types de patients. Les capteurs LNCS sont destinés aux hôpitaux qui préfèrent limiter les modifications de l’interface utilisateurclinicien lors du passage de leur oxymétrie de pouls à Masimo SET® et qui ne prévoient pas d ...

Capteurs à base de GaN Technologies des capteurs de gaz ...

+

Technologies des capteurs de gaz destinés à la ligne d’échappement d’une auto Capteurs à base de GaN Depuis le début des années 90, les technologies à base de nitrure de gallium GaN ont connu un intérêt d’importance croissant.

Yole Développement, MEMS, Compound Semiconductors ...

+

Yole Développement provides market research, technology analysis, strategy consulting, targeted media, and financial advisory services. With a strong focus on emerging applications using silicon and/or micro manufacturing since 1998, Yole Développement has expanded to include more than 80 collaborators worldwide covering Photonics – Lighting – Imaging – Sensing Actuating – Display ...

Fraunhofer IAF enhances functionality of GaN power ICs ...

+

20190507· 7 May 2019. Fraunhofer IAF enhances functionality of GaN power ICs with integrated sensors as part of GaNIAL project. Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF) of Freiburg, Germany says that it has significantly enhanced the functionality of gallium nitride (GaN) power ICs for voltage converters by integrating current and temperature sensors onto a GaNbased chip, along with ...

Phys. Rev. B 83, 245326 (2011) Intrinsic dynamics of ...

+

20110630· (a) Timeresolved PL image of the 4 nm thick Al 0. 06 Ga 0. 94 N/GaN QW at 10 K. (b) cwPL spectrum taken at 4 K, showing the signature of centerofmass quantized excitonpolaritons in the 200 nm thick GaN layer. (c) Timeintegrated PL spectra taken between 10 and 300 K (spectra have been shifted vertically for clarity). The absence of emission at eV shows that our sample is free of ...

Hemodynamic monitoring | Edwards Lifesciences

+

Advanced hemodynamic monitoring solutions to help you stay ahead of critical moments with a range of sensors, catheters, software, and hemodynamic monitoring systems. For more than 50 years, Edwards Lifesciences has been helping you make proactive clinical decisions and advance the care of surgical and acutely ill patients across the continuum ...

Annonces LMESM_Laboratoire de Microscopie Electronique ...

+

20140515· Low temperature Hall effect measurements were carried on AlGaN/GaN microHall effect sensors before and after irradiation with 380 keV and fluence of 1014 protons/cm2 protons. The sheet electron density after irradiation did not show significant changes but there was a dramatic decrease in the electron mobility of the heterostructures. Prior to irradiation, the observation of welldefined ...

POLYTECHNIQUE MONTRÉAL PolyPublie

+

nitrure de gallium (GaN). Ces techniques permettent de mettre en œuvre un système de transmission de données sans fil entièrement intégré dédié aux capteurs de surveillance pour des applications d''environnement hostile. Le travail nécessite de trouver une technologie capable de résister à l''environnement sévère, principalement à haute température, et de permettre un niveau d ...

A Beginner''s Guide to Generative Adversarial Networks ...

+

On a single GPU a GAN might take hours, and on a single CPU more than a day. While difficult to tune and therefore to use, GANs have stimulated a lot of interesting research and writing. Other Generative Models. GANs are not the only generative models based on deep learning. The Microsoftbacked think tank OpenAI has released a series of powerful natural language generation models under the ...

Institut Pascal Members

+

Effect of metallic contacts diffusion on au/gaas and au/gan/gaas sbds electrical quality during their fabrication process journal of alloys and compounds, vol. 876, p. 159596 2021

GaN Systems

+

20211118· GaN Systems is the leader in Gallium Nitride (GaN) based power management devices, specializing in power conversion, semiconductors and transistors. A fabless power semiconductor company, GaN Systems is headquartered in Ottawa, Canada.

MEMS Sensors Ecosystem for Machine Learning ...

+

The ST ecosystem for machine learning in MEMS and Sensors combines several hardware and software tools to help designers implement gesture and activity recognition with Artificial Intelligence at the Edge in sensors through machine learning algorithms based on decision tree classifiers.. IoT solutions developers can therefore deploy any of our sensors with machine learning core (MLC) in a ...

Un prototype de système de télésurveillance médicale basé ...

+

Les capteurs et les réseaux de capteurs dans la télésurveillance médicale Les réseaux de capteurs sans fil avec les nœ uds de capteurs intelligents sont devenus une technologie très importante pour plusieurs types d''applications. Par exemple, ils . 3 peuvent être utilisés pour les interventions d''urgence, la surveillance militaire, la surveillance de l''environnement, les ...

Szymon Mikler – Data Scientist – NavAlgo | LinkedIn

+

NavAlgo is in the latest mapping of Deeptech startups for industrial competitiveness, drafted by the Observatoire Deeptech of Bpifrance, alongside…. Polecane przez: Szymon Mikler. NavAlgo is featured in the DeepTech category of the top 100 French startups to invest in.

Formation Doctorale : LMESM_Laboratoire de ...

+

The AlGaN/GaN heterostructures had an electron mobility of 1360 cm2/Vs and a 2DEG density of x 1013 cm2. The supplycurrentrelated sensitivity (SCRS) was 77VA1T1 at room temperature. Notably, the temperature coefficient of the Hall voltage was + %/oC near room temperature, and SCRS was 67 VA1T1 at 400oC. The results for AlGaN/GaN were compared with those for AlGaAs/GaAs and ...

MODIS Web

+

The MODIS Tools section has a complete listing of webbased tools that can be used to access a wide variety of MODIS Data, along with an array of links and a summary of each tool. Learn More About MODIS Tools >>.

GaNbased heterostructures for sensor applications ...

+

[11][12][13][14][15][16] GaN belongs to the IIIN family of semiconductors, which is a relatively recent, but nonetheless now wellestablished material system in the field of optoelectronics and ...

laissez un commentaire